什么是DDR和LPDDR？DDR和LPDDR概念介紹

DDR全稱(chēng)Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，嚴(yán)格的來(lái)講，DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM。雖然美國(guó)固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)2018年宣布正式發(fā)布DDR5標(biāo)準(zhǔn)，但實(shí)際上最終的規(guī)范要到2020年才能完成，其目標(biāo)是將內(nèi)存帶寬在DDR4基礎(chǔ)上翻倍，速率3200MT/s起，最高可達(dá)6400MT/s，電壓則從1.2V降至1.1V，功耗減少30%。

LPDDR是在DDR的基礎(chǔ)上多了LP(Low Power)前綴,全稱(chēng)是Low Power Double Data Rate SDRAM，簡(jiǎn)稱(chēng)“低功耗內(nèi)存”是DDR的一種，以低功耗和小體積著稱(chēng)。目前最新的標(biāo)準(zhǔn)LPDDR5被稱(chēng)為5G時(shí)代的標(biāo)配，但目前市場(chǎng)上的主流依然是LPDDR3/4X。

DDR和LPDDR有什么不同呢？

應(yīng)用領(lǐng)域不同。DDR因其更高的數(shù)據(jù)速率、更低的能耗和更高的密度廣泛應(yīng)用于平板電腦、機(jī)頂盒、汽車(chē)電子、數(shù)字電視等各種智能產(chǎn)品中，尤其是在疫情期間，由于在家辦公、網(wǎng)課和娛樂(lè)的增加，平板電腦、智能盒子的需求也逐步攀升，這對(duì)DDR3、DDR4的存儲(chǔ)性能要求更高、更穩(wěn)定。

而LPDDR擁有比同代DDR內(nèi)存更低的功耗和個(gè)小的體積，該類(lèi)型芯片主要應(yīng)用于移動(dòng)式電子產(chǎn)品等低功耗設(shè)備上。

LPDDR和DDR之間的關(guān)系非常密切，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，LPDDR就是在DDR的基礎(chǔ)上面演化而來(lái)的，LPDDR2實(shí)在DDR2的基礎(chǔ)上演化而來(lái)的，LPDDR3則實(shí)在DDR3的基礎(chǔ)上面演化而來(lái)的，以此類(lèi)推。但是從第四代開(kāi)始，兩者之間有了差別或者說(shuō)走上了不同的發(fā)展，主要因?yàn)镈DR內(nèi)存主要是通過(guò)提高核心頻率從而提升性能，而LPDDR則是通過(guò)提高Prefetch預(yù)讀取位數(shù)而提高使用體驗(yàn)。同時(shí)在商用方面，LPDDR4首次先于DDR4登陸消費(fèi)者市場(chǎng)。

以目前使用量最高的DDR4和LPDDR4來(lái)舉例，LPDDR4是通過(guò)兩個(gè)16位通道組成的32位總線，而DDR4卻具備原生64位通道，LPDDR4的Prefetch預(yù)讀取位位16位，而DDR4為8位，所以在實(shí)際運(yùn)算的過(guò)程中，DDR4的性能利用率會(huì)更高，但LPDDR卻可以用耕地的功耗來(lái)獲得更高的理論性能。

所以，也不存在LPDDR5的技術(shù)比DDR5更先進(jìn)，性能跟高這一說(shuō)法，并且如果論性能的話，DDR的性能始終是高于同代的LPDDR內(nèi)存的性能的。

桌面級(jí)的DDR內(nèi)存在技術(shù)升級(jí)方面要慢于移動(dòng)端，LPDDR內(nèi)存由于在便攜設(shè)備的功耗占比比較高，況且同時(shí)還擔(dān)負(fù)著顯存這一身份的重任，技術(shù)的迭代對(duì)于手機(jī)性能和功耗有著巨大的影響，所以相比較于DDR內(nèi)存，LPDDR內(nèi)存更容易被用戶(hù)感知。

因?yàn)楹褪謾C(jī)相比，電腦對(duì)功耗的要求沒(méi)有那么高，也沒(méi)有那么敏感，所以很多輕薄筆記本還在使用LPDDR3的內(nèi)存，即使最新的英特爾處理器也只支持LPDDR4X內(nèi)存，DDR5的正是規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)今年才會(huì)完成制定，即使標(biāo)準(zhǔn)制定完成，今年也不會(huì)看到很多搭載DDR5內(nèi)存的電腦。而LPDDR5則是今年絕大部分旗艦機(jī)型的標(biāo)配，相比DDR5，LPDDR5會(huì)在很多手機(jī)上面看到。

而在性能方面，LPDDR和DDR各有千秋，比如LPDDR5目前在數(shù)據(jù)傳輸速率上，理論性能的確領(lǐng)先DDR4一個(gè)身位，但這并不代表LPDDR5一定比DDR4更強(qiáng)。

電子產(chǎn)品的進(jìn)步總結(jié)下來(lái)一定是體積更小，性能更強(qiáng)，功耗更低。當(dāng)然內(nèi)存也不例外，無(wú)論是LPDDR內(nèi)存還是DDR內(nèi)存，或許有一天能通過(guò)極低的功耗，實(shí)現(xiàn)更高的性能。